Microchip объявляет о выпуске в производство продуктов из карбида кремния для создания надежной силовой электроники высокого напряжения

700-вольтные МОП-транзисторы и 700-вольтовые и 1200-вольтовые барьерные диоды Шоттки расширяют возможности клиентов по мере роста спроса на эффективность технологии SiC — карбида кремния.

Предпосылки создания новых продуктов

 Растет спрос на продукты питания SiC, которые повышают эффективность, надежность и удельную мощность систем в автомобильной, промышленной, аэрокосмической и оборонной промышленности. Компания Microchip Technology Inc. сегодня объявила о выпуске в производство семейства силовых устройств SiC через свою дочернюю компанию Microsemi, которые обладают проверенной надежностью и преимуществами в производительности технологии. Дополненные широким спектром микроконтроллеров (MCU) и аналоговыми решениями Microchip, устройства SiC входят в группу надежных продуктов SiC, которые отвечают потребностям инновационных электромобилей.

Микрочипы SiC MOSFET на 700 В и SiC-барьерные диоды Шоттки на 700 В и 1200 В дополняют существующий ассортимент силовых модулей SiC. Более 35 отдельных продуктов, которые Microchip добавил в эту линейку поддерживаются комплексными услугами по разработке, эталонными конструкциями и предлагают рынку готовые продукты с выдающейся прочностью, подтвержденной тщательным тестированием. В настоящее время Microchip предлагает широкий ассортимент SiC-кристаллов, дискретных модулей и модулей питания для различных диапазонов напряжения, номинальных токов и типов корпусов.

“Началось ускоренное развитие и внедрение технологии SiC, и Microchip предлагает серьезное развитие на этом рынке, чтобы глобальные поставки продолжали удовлетворять растущий спрос на эти продукты”, — сказал Рич Симончич, старший вице-президент президент бизнес-подразделения Microchip по дискретному управлению и управлению питанием.
“Мы расширяем линейку продуктов с помощью надежных разработок, которые подкреплены мощной инфраструктурой поддержки и цепочкой поставок, необходимых нашим клиентам для выполнения и масштабирования своих программ развития”.

Преимущества новых продуктов от Microchip

 SiC MOSFET и SBD от Microchip обеспечивают более эффективное переключение на более высоких частотах и проходят испытания на прочность на уровнях, которые считаются критически важными для обеспечения долгосрочной надежности. SiC SBD компании показывают себя на 20 процентов лучше, чем другие SiC-диоды в тестах на прочность с индуктивным переключением (UIS), которые измеряют, насколько хорошо устройства выдерживают деградацию или преждевременный отказ в тяжелых условиях, которые возникают, когда скачок напряжения превышает напряжение пробоя устройства.
SiC MOSFET от Microchip также превосходят альтернативные продукты в испытаниях на прочность, демонстрируя превосходное экранирование затвора оксидом и целостность канала с небольшим ухудшением срока службы параметров даже после 100 000 циклов повторного тестирования UIS (RUIS).

Microchip является одним из немногих поставщиков, предлагающих широкий спектр как дискретных, так и модульных решений на основе кремния и карбида кремния (SiC). Продукция компании идеально подходит для растущей отрасли создания электромобилей, включая внешние зарядные станции, бортовые зарядные устройства, преобразователи постоянного тока в постоянный ток и решения для трансмиссии и контроля тяги.






Microchip является одним из немногих поставщиков, предлагающих широкий спектр как дискретных, так и модульных решений на основе кремния и SiC. Продукция компании идеально подходит для растущего числа электромобилей, включая внешние зарядные станции, бортовые зарядные устройства, преобразователи постоянного тока в постоянный ток и решения для трансмиссии и контроля тяги. Новые устройства SiC опираются на практику устаревания, основанную на клиенте Microchip, которая гарантирует, что устройства будут производиться до тех пор, пока они потребуются клиентам.