РУС
+7 (812) 647 00 77
СПб, Средний пр-т ВО, 88 А, оф. 509
ON Semiconductor анонсирует новые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния на 650 В

ON Semiconductor анонсирует новые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния на 650 В

03.03.2021
Превосходное переключение и повышенная надежность обеспечивают повышение плотности мощности в различных сложных приложениях

Компания ON Semiconductor, продвигающая инновации в области энергоэффективности, анонсировала новую линейку полевых МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC) для требовательных приложений, в которых плотность мощности, эффективность и надежность являются ключевыми факторами. Заменив существующие технологии кремниевой коммутации новыми устройствами SiC, разработчики добьются значительно большей производительности в таких приложениях, как бортовые зарядные устройства (OBC) электромобилей (EV), солнечные инверторы, серверные блоки питания (PSU), телекоммуникации и источники бесперебойного питания.
Новые автомобильные SiC-МОП-транзисторы AECQ101 и промышленный класс на 650 вольт (В) от ON Semiconductor основаны на новом материале с широкой запрещенной зоной, который обеспечивает превосходные характеристики переключения и улучшенные термические характеристики по сравнению с кремнием. Это приводит к повышению эффективности на уровне системы, повышенной плотности мощности, уменьшению электромагнитных помех (EMI) и уменьшению размера и веса системы.

Новое поколение SiC MOSFET использует новую конструкцию активных ячеек в сочетании с передовой технологией тонких пластин, обеспечивающей лучший в своем классе показатель качества Rsp (область Rdson*) для напряжения пробоя 650В.

NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 и NTH4L015N065SC1 имеют самый низкий Rdson (12 мОм) на рынке в корпусах D2PAK7L и To247. Эта технология также оптимизирована с учетом показателей потерь энергии, оптимизируя производительность в автомобильных и промышленных приложениях. Внутренний резистор затвора (Rg) дает разработчикам большую гибкость, устраняя необходимость искусственно замедлять работу устройств с помощью внешних резисторов затвора. Повышенная устойчивость к скачкам и лавинам, а также устойчивость к коротким замыканиям способствуют повышенной прочности, что обеспечивает более высокую надежность и более длительный срок службы устройства.

Комментируя новые версии, Асиф Джаквани, старший вице-президент подразделения Advanced Power в ON Semiconductor сказал: «В современных энергетических приложениях, таких как бортовые зарядные устройства (OBC) для электромобилей и других приложений, включая возобновляемые источники энергии, корпоративные вычисления и телекоммуникации, эффективность, надежность и удельная мощность — постоянные проблемы для проектировщиков. Эти новые SiC MOSFET значительно улучшают производительность по сравнению с аналогичными технологиями кремниевой коммутации, что позволяет инженерам решать эти сложные задачи проектирования. Повышенная производительность обеспечивает более низкие потери, что повышает эффективность и снижает потребности в управлении температурой, а также снижает EMI. Конечным результатом использования этих новых SiC MOSFET является компактное, легкое, более эффективное и надежное решение для электропитания».